AT45DB321E-SHF-B AT45DB321E-SHF2B-T AT45DB321E-SHF-T AT45DB321E-MHF-T
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
AT45DB321E ルネサス フラッシュメモリ IC
部門:
集積回路IC
内部在庫:
ストック
価格:
Negotiated
支払方法:
T/T,ウェスタン・ユニオン
指定
カテゴリー:
電子部品統合された回路（IC）
記述:
AT45DB321E-SHF-B AT45DB321E ルネサス フラッシュメモリ IC
特徴:
AT45DB321E ルネサス フラッシュメモリ IC
パッケージ:
ICフラッシュメモリ,シリアルNOR, 32 Mbit, 4M x 8bit,SPI
無鉛状態:
、自由なPB迎合的なRoHS無鉛
動作温度:
-40°C ~ 85°C
ROHS:
適合している
基礎部品番号:
AT45DB321
導入
AT45DB321E RENESAS フラッシュメモリIC
AT45DB321E-SHF-B AT45DB321E-SHF2B-T AT45DB321E-SHF-T AT45DB321E-MHF-Tフラッシュメモリ,シリアルNOR, 32 Mbit, 4M x 8bit,SPI
集積回路IC(電子部品)
- 仕様:
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| フラッシュ | |
| Mfr |
レネサス |
| シリーズ |
AT45DB321E フラッシュメモリIC |
| パッケージ | トレイ&リール (TR) |
| 部品のステータス | アクティブ |
| PLL | そうだ |
| 主な目的 | 一般目的 |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C |
| マウントタイプ | 表面の固定 |
| パッケージ/ケース | SMD |
| 製品ベース番号 |
AT45DB321E-SHF-B AT45DB321E-SHF2B-T AT45DB321E-SHF-T AT45DB321E-MHF-T |
環境と輸出分類:
| ATRIBUTE について | 記述 |
|---|---|
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
より人気フラッシュメモリーIC:
| SST25VF040B-50-4I-SAE | S25FL256SAGNFI003 | SST26VF064B-104I/SO |
| SST26VF032BT-104I/SM | S25FL256SAGNFI001 | W25Q32JVSSIQTR |
| W25Q128JVSIQ | SST26VF064B-104I/SM | SST26VF064BT-104I/SM |
| AT45DB321E-SHF-T | MT2F1F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2 | S25FL256SAGNFI001 |
| SST26VF032B-104V/SM | S25FL128SAGNFI000 | S25FL512SAGBHI210 |
| W25Q64JVSSIQ 試聴する | SST26VF032B-104I/SM | SST26VF032BA-104I/MF |
| SST26VF064B-104I/MF | S25FL128SAGNFI001 | SST26VF064B-104I/MN |
| MT25QL128ABA1ESE-0SIT 関連情報 | W25Q128JVSIQTR | S29AL016J70TFI020 |
| SST25VF040B-50-4I-SAE-T | S25FL256SAGNFI000 | MX25U51245GZ4I00 |
| SST26VF032B-104I/MF | S29AL016J70TFI020 | S29AL016J70TFI010 |
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標準的:
In Stock
MOQ:
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