W664GG6RB-06 W664GG6RB06I IC DRAM 4GB DDR4 代替 K4A4G165WF-BCTD
W664GG6RB IC DRAM 4GB DDR4 1.2V SDRAM X16 1600MH POD12 96VFBGA W664GG6RB-06 W664GG6RB06I
W634GU6NB-11 W631GG6MB-12 W664GG6RB06I W664GG6RB06-TR DDR4 SDRAM 4Gb ((256Mb*16) K4A4G165WF-BCTD
類似したDRAMについては:
MT40A1G16TB-062E:F
MT41K256M16TW-107:P
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W9825G6KH-6I
NT2C2C3C4C4C4C4C5C5C5C5C5C5C5C5
MT41K128M16JT-125:K
MT40A1G8SA-062E:R
MT40A1G16RC-062E:B
MT53E512M32D1ZW-046BWT:B
NT1 株式会社
MT47H64M16NF-25E:M
NT1 電気自動車
MT40A512M16LY-075:E
MT48LC16M16A2P-6A:G
MT40A1G16TD-062E:F
MT46V32M16P-5B:J
NT1 電気自動車
MT40A512M16LY-062E:E
MT41K512M8DA-107:P
MT41K256M16HA-125:E
MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 について
MT53D512M32D2DS-046IT:D
IS43TR16256BL-125KBLI-TR
MT4A2G16TBB-062E:F
MT53E512M32D1ZW-046BIT:B
IS43TR16256BL-125KBLI
MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B
記述:
| 8GB+8Gb | ||||
| 部分番号 | 組織 | 記述 | 速度 (mHz) | パッケージ |
| FM73E885CQPB ((2R) | 8GB eMMC + 8Gb LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
| FM73E885CQP1B (2R) | 8GB eMMC + 8Gb LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
| 32GB+8Gb | ||||
| 部分番号 | 組織 | 記述 | 速度 (mHz) | パッケージ |
| FM73E3285CRTP1B(2R) | 32GB eMMC + 8Gb LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
自動車
ネットワーク
消費者
セットトップボックス
産業用
ディスプレイ
IOT
セキュリティ監視
ウェアラブル デバイス
PC 周辺機器
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD |
K4A8G085WG Samsung Flash Memory ICs K4A8G085WG-BCWE
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