V20PWM45 Vishay SemiconductorTMBSトレンチMOSバリアショットキー整流器
部門:
ディスクリート半導体
価格:
Negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン
指定
記述:
ダイオードショットキー45V20A SLIMDPAK
家族:
ディスクリート半導体製品-整流器
部門:
電子部品
シリーズ:
TMBSトレンチMOSバリアショットキー整流器
基礎部品番号:
V20PWM45
細部:
ダイオードショットキー45V20A表面実装SlimDPAK
タイプ:
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
パッケージ:
DPak（2リード+タブ）、TO263
タイプの取付け:
表面の台紙
ハイライト:
V20PWM45 Vishay Semiconductor、Vishay Semiconductor TMBSトレンチ、MOSバリアショットキー整流器
,Vishay Semiconductor TMBS Trench
,MOS Barrier Schottky Rectifier
導入
V20PWM45 V20PWM45C-M3 / I VishaySemiconductor高電流密度TMBSトレンチMOSバリアショットキー整流器DPAKディスクリート半導体製品
V20PWM45：高電流密度表面実装TMBS®（トレンチMOSバリアショットキー）整流器超低VF = 0.35 V、IF = 5 A
V20PWM45C高電流密度表面実装TMBS®（トレンチMOSバリアショットキー）整流器超低VF = 0.39 V、IF = 5 A
アプリケーション
低電圧高周波DC / DCコンバーターで使用する場合、
フリーホイーリングダイオード、および極性保護アプリケーション
特徴
•非常に薄型-通常の高さ1.3mm
•トレンチMOSショットキーテクノロジー
•自動配置に最適
•低い順方向電圧降下、低い電力損失
•高効率動作
•J-STD-020に準拠したMSLレベル1に適合。
260°CのLF最大ピーク
•AEC-Q101認定済みが利用可能
-自動車注文コード：ベースP / NHM3
•材料の分類
説明
このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。
この製品の追加機能は、175°Cの接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この設計はさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスになります。
特徴 ：
高度なプロセス技術超低オン抵抗175°C動作温度高速スイッチング反復アバランシェTjmaxまで許容D-PakIRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
製品の技術仕様
カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
ダイオード-整流器-シングル | |
製造元 | Vishay GeneralSemiconductor-ダイオード部門 |
シリーズ | 自動車、AEC-Q101、eSMP®、TMBS® |
パッケージ | テープ＆リール（TR） |
部品ステータス | アクティブ |
ダイオードタイプ | ショットキー |
電圧-DCリバース（Vr）（最大） | 45 V |
現在-平均整流（Io） | 20A |
電圧-順方向（Vf）（最大）@ If | 660 mV @ 20 A |
スピード | 高速リカバリ= <500ns、> 200mA（Io） |
現在-逆リーク@Vr | 700 µA @ 45 V |
静電容量@ Vr、F | 3100pF @ 4V、1MHz |
取付タイプ | 表面実装 |
パッケージ/ケース | TO-252-3、DPak（2リード+タブ）、SC-63 |
サプライヤーデバイスパッケージ | SlimDPAK |
作動温度-ジャンクション | -40°C〜175°C |
基本製品番号 | V20PWM45 |
| 部品番号 | V20PWM45-M3 / I V20PWM45HM3 / I |
| ベース部品番号 | V20PWM45C-M3 / I |
| EUのRoHS | 免税に準拠 |
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 部品ステータス | アクティブ |
| HTS | 8541.29.00.95 |
General Semiconductorのその他の部品番号：
| 部品番号 | MFG | パッケージ型式 |
| BYV26C | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAYセミコンダクター | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAYセミコンダクター | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV26C-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SF1600-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| SF1600-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | VISHAYセミコンダクター | SOT-23 |
| SBYV26C | VISHAYセミコンダクター | DO-41 |
| BZX55C24-TAP | VISHAYセミコンダクター | DO-35 |
| BYV27-200 | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV27-200-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-57 |
| BYV28-200-TAP | VISHAYセミコンダクター | SOD-64 |
| SBYV26C | VISHAYセミコンダクター | DO-41 |
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標準的:
MOQ:
10