TC4426 TC4427TC4428マイクロチップPMIC1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバIC
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,TC4428 Microchip PMIC
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TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC
TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713
TC4426EOA713仕様：
| 部品番号 | TC4426EOA713 |
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カテゴリー
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集積回路（IC）
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PMIC-ゲートドライバー
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製造元
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マイクロチップテクノロジー
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シリーズ
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-
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パッケージ
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テープ＆リール（TR）
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部品ステータス
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アクティブ
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ドリブン構成
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ローサイド
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チャネルタイプ
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独立
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ドライバーの数
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2
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ゲートタイプ
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Nチャネル、PチャネルMOSFET
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電圧-供給
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4.5V〜18V
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論理電圧-VIL、VIH
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0.8V、2.4V
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電流-ピーク出力（ソース、シンク）
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1.5A、1.5A
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入力方式
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反転
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立ち上がり/立ち下がり時間（標準）
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19ns、19ns
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作動温度
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-40°C〜150°C（TJ）
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取付タイプ
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表面実装
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パッケージ/ケース
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8-SOIC（0.154 "、幅3.90mm）
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-SOIC
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基本製品番号
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TC4426 TC4427 TC4428
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TC4426 TC4427 TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル高速パワーMOSFETドライバIC概要：
TC4426 / TC4427 / TC4428は、以前のTC426 / TC427 / TC428ファミリのMOSFETドライバの改良版です。
TC4426 / TC4427 / TC4428デバイスは、MOSFETのゲートを充電および放電するときの立ち上がり時間と立ち下がり時間を一致させています。これらのデバイスは、電力および電圧定格内のあらゆる条件下で高いラッチアップ耐性を備えています。グランドピンで最大5Vのノイズスパイク（いずれかの極性）が発生しても、損傷を受けることはありません。それらは、損傷や論理の混乱なしに、最大500 mAの逆電流（いずれかの極性）が出力に強制的に戻されるのを受け入れることができます。すべての端子は、最大2.0 kVの静電放電（ESD）から完全に保護されています。
TC4426 / TC4427 / TC4428 MOSFETドライバは、30ns未満で1000pFのゲート容量を簡単に充電/放電できます。これらのデバイスは、オン状態とオフ状態の両方で十分に低いインピーダンスを提供し、大きな過渡現象によってもMOSFETの意図された状態が影響を受けないようにします。その他の互換性のあるドライバーは、TC4426A / TC4427A / TC4428Aファミリーのデバイスです。
TC4426A / TC4427A / TC4428Aデバイスは、TC4426 / TC4427 / TC4428デバイスの立ち上がり時間と立ち下がり時間に加えて、リーディングエッジと立ち下がりエッジの入力から出力までの遅延時間を一致させています。
特徴：
•高ピーク出力電流：1.5A
広い入力電源電圧動作範囲：-4.5V〜18V
高容量負荷駆動能力：25nsで1000pF（標準）
短い遅延時間：40 ns（標準）
立ち上がり時間と立ち下がり時間の一致
低供給電流：-ロジック「1」入力あり– 4 mA-ロジック「0」入力あり– 400 µA
低出力インピーダンス：7
ラッチアップ保護：0.5Aの逆電流に耐えます
入力は最大5Vの負の入力に耐えます
保護された静電放電（ESD）：2.0 kV
省スペースの8ピンMSOPおよび8ピン6x5DFN-Sパッケージ
TC4426 TC4427 TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル高速パワーMOSFETドライバICアプリケーション：
スイッチモード電源
ラインドライバー
パルストランスドライブ
環境と輸出の分類
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RhoHSステータス | ROHS3準拠 |
| 水分感受性レベル（MSL） | 3（168時間） |
| REACHステータス | 影響を受けないリーチ |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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