TPSM53602RDAR力モジュールDC DCのコンバーターIC
力モジュールDC DCのコンバーターIC
,TPSM53602RDAR Dc DcのコンバーターIC
,TPSM53602RDARの集積回路IC
テキサス・インスツルメントMCUおよびプロセッサのマイクロ制御回路IC
TPSM53602RDAR力モジュールDC DCのコンバーターIC
TPSM53602 36-Vの入力、HotRod™高められたQFNのパッケージの2-A力モジュール
適用:
•一般目的の広いVINの電源
•工場自動化および制御
•テストおよび測定
•大気および宇宙空間および防衛
•否定的な出力電圧適用
記述:
TPSM53602力モジュールは36-V入力を結合する非常に統合された2-A力の解決である、
力のMOSFETsが付いている軽減する、DC/DCのコンバーター、thermallyenhanced QFNのパッケージの保護された誘導器および受動態。
5 mm X 5.5 mm X 4 mmの15ピン パッケージは高められたHotRod QFNを使用する
改善された熱性能、小さい足跡および低いEMIのための技術。パッケージの足跡にすべてがある
簡単なレイアウトおよび容易な処理のための周囲そして単一の大きい熱パッドから入手しやすいピン
製造業。
総解決はわずか4つの外的な部品を要求し、設計過程からループ補償および磁気学の部品の選択を除去する。フル フィーチャ セットは、プログラム可能なUVLOよいの力起動prebiasを含んでいる
過電流およびTPSM53602に動力のための優秀な装置を作る過熱保護
広い応用範囲。
マイクロ制御回路IC （MCU）およびプロセッサの指定:MSP430F5438AIPZR
| 部門 | 電子部品統合された回路 |
| 家族 | マイクロ制御回路IC （MCU）およびプロセッサ |
| シリーズ | C2000実時間マイクロ制御回路IC |
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント（チタニウム） |
| タイプ | MCU IC |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| HTS | 8542.31.00.01 |
|
中心プロセッサ
|
MSP430
|
|
コア サイズ
|
16ビット
|
|
速度
|
25MHz
|
|
結合性
|
Iの² C、IrDA、LINbus、SCI、SPI、UART/USART
|
|
ペリフェラル
|
節電は、DMA、POR、PWM、WDT検出したり/調整
|
|
入力/出力の数
|
87
|
|
プログラム記憶容量
|
256KB （256K X 8）
|
|
プログラム記憶タイプ
|
フラッシュ
|
|
EEPROMのサイズ
|
-
|
|
RAMのサイズ
|
16K X 8
|
|
電圧-供給（Vcc/Vdd）
|
1.8V | 3.6V
|
|
データ変換装置
|
A/D 16x12b
|
|
発振器のタイプ
|
内部
|
|
実用温度
|
-40°C | 85°C （TA）
|
|
タイプの取付け
|
表面の台紙
|
|
パッケージ/場合
|
100-LQFP/nFBGA （113）
|
特徴:
•機能安全可能
–利用できるドキュメンテーション機能安全システムの設計を助けるため
•× 5 mmは× 5.5 mmの4 mm HotRod™ QFNのパッケージを高めた
– 85-mm2解決のサイズ（味方される単一）
–低いEMI:CISPR11に放射した放出を会う
–優秀な熱性能:
85°Cの気流無しで出力電力14までW
–標準的な足跡:単一の大きい熱パッド
周囲から入手しやすいすべてのピン
•入れられた電圧範囲:3.8 Vから36ボルト
•出力電圧範囲:1ボルトから7ボルト
•効率95%まで
•パワーよい旗
•精密は可能になる
•作り付けしゃっくりモード短絡の保護、前バイアスに起動過熱保護
出力、柔らかい開始およびUVLO
•作動ICの接続点の範囲:– 40°Cへの+125°C
•作動の包囲された範囲:– 40°Cへの+105°C
•ミルSTD883Dにテストされる衝撃および振動
•下記のもので互換性があるPin:3-A TPSM53603および4-A TPSM53604
•カスタム設計するWEBENCH®力デザイナーとのTPSM53602を使用して作成しなさい
•速い板設計のためのEVMの設計ファイルをダウンロードしなさい