BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
部門:
ディスクリート半導体
価格:
Negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン
指定
記述:
N-Channel MOSFET 49V 80A
家族:
ディスクリート半導体製品
部門:
電子部品-MOSFET（金属酸化物）
シリーズ:
力MOSFET
基礎部品番号:
BTS282Z
細部:
TRANS MOSFET N-CH 49V 80A自動車7 Pin （7+Tab） TO-220
タイプ:
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
パッケージ:
TO220-7
タイプの取付け:
穴を通して
ハイライト:
49V 80AのトランジスターFETs
,N-Channel MOSFETのトランジスターFETs
導入
BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。
部品を保障するためにはバルク包装によって、このプロダクト入って来多くをやや加えるために包む管傷つけられない
外の管で緩い部品を貯えることによる保護。
このMOSFETのトランジスターは-40 °Cから175 °C.の実用温度範囲を備えている。
このNチャネルMOSFETのトランジスターは強化モードで作動する。
指定:
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部門
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分離した半導体製品
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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インフィニオン・テクノロジーズ
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シリーズ
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TEMPFET®
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パッケージ
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管
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部分の状態
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時代遅れ
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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49ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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80A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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6.5mOhm @ 36A, 10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2V @ 240µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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232 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4800 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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ダイオードを感じる温度
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電力損失（最高）
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300W （Tc）
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実用温度
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-40°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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穴を通して
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製造者装置パッケージ
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P-TO220-7-230
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パッケージ/場合
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TO-220-7
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環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| 部品番号 | BTS282Z E3230 |
| 基礎部品番号 | BTS282Z |
| EU RoHS | 免除と迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pieces