3V 64Mビットシリアルフラッシュメモリチップ、Winbond 3Vシリアルフラッシュメモリチップ、W25Q64集積回路IC
,Winbond 3V Serial Flash Memory Chip
,W25Q64 Integrated Circuits IC
W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM Winbond 3V 64Mビットシリアルフラッシュメモリ、デュアル、クワッドSPIフラッシュ付き
W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM Winbond 3V 64Mビットシリアルフラッシュメモリ、デュアル、クワッドSPIフラッシュ付き
1.一般的な説明
W25Q64JV(64Mビット)シリアルフラッシュメモリは、スペース、ピン、および電力が限られているシステムにストレージソリューションを提供します。
25Qシリーズは、通常のシリアルフラッシュデバイスをはるかに超える柔軟性とパフォーマンスを提供します。
これらは、RAMへのコードシャドウイング、Dual / Quad SPI(XIP)から直接コードを実行し、音声、テキスト、およびデータを保存するのに理想的です。
このデバイスは2.7V〜3.6Vの電源で動作し、パワーダウンの消費電流は1µAと低くなっています。
すべてのデバイスは、省スペースパッケージで提供されます。
W25Q64JVアレイは、それぞれ256バイトの32,768のプログラム可能なページに編成されています。一度に最大256バイトをプログラムできます。
ページは、16個のグループ(4KBセクター消去)、128個のグループ(32KBブロック消去)、256個のグループ(64KBブロック消去)、またはチップ全体(チップ消去)で消去できます。W25Q64JVには、それぞれ2,048個の消去可能セクターと128個の消去可能ブロックがあります。
4KBの小さなセクターにより、データとパラメーターのストレージを必要とするアプリケーションの柔軟性が高まります。
W25Q64JVは、標準のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)、デュアル/クアッドI / O SPI:シリアルクロック、チップセレクト、
シリアルデータI / O0(DI)、I / O1(DO)、I / O2およびI / O3。最大133MHzのW25Q64JVのSPIクロック周波数がサポートされています。
Fast Read Dual / Quad I / Oを使用する場合、デュアルI / Oの場合は266MHz(133MHz x 2)、クアッドI / Oの場合は532MHz(133MHz x4)の同等のクロックレート。これらの転送速度は、標準の非同期8ビットおよび16ビットパラレルフラッシュメモリよりも優れている可能性があります。
2.機能
SpiFlashメモリの新しいファミリ
– W25Q64JV:64Mビット/ 8Mバイト
–標準SPI:CLK、/ CS、DI、DO
–デュアルSPI:CLK、/ CS、IO0、IO1
–クアッドSPI:CLK、/ CS、IO0、IO1、IO2、IO3
–ソフトウェアとハードウェアのリセット(1)
最高のパフォーマンスのシリアルフラッシュ
– 133MHzシングル、デュアル/クワッドSPIクロック
– 266 / 532MHz相当のデュアル/クワッドSPI
–最小100Kプログラム-セクターごとの消去サイクル
– 20年以上のデータ保持
低電力、広い温度範囲
–単一の2.7〜3.6V電源
– <1µAパワーダウン(標準)
–-40°C〜 + 85°Cの動作範囲
–-40°C〜 + 105°Cの動作範囲
4KBセクターの柔軟なアーキテクチャ
–均一セクター/ブロック消去(4K / 32K / 64Kバイト)
–プログラム可能なページごとに1〜256バイトをプログラムする
–消去/プログラムの一時停止と再開
高度なセキュリティ機能
–ソフトウェアとハードウェアの書き込み保護
–特別なOTP保護
–上部/下部、補数アレイ保護
–個々のブロック/セクターアレイの保護
–各デバイスの64ビット一意ID
–検出可能パラメーター(SFDP)レジスタ
–3X256バイトのセキュリティレジスタ
–揮発性および不揮発性ステータスレジスタビット
スペース効率の高いパッケージ
–8ピンSOIC208ミル
–8パッドWSON6x5-mm / 8x6-mm
–16ピンSOIC300ミル
–8パッドXSON4x4-mm
–24ボールTFBGA8x6-mm(6x4ボールアレイ)
–24ボールTFBGA8x6-mm(6x4 / 5x5ボールアレイ)
–12ボールWLCSP
仕様:
カテゴリー
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集積回路(IC)
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メモリー
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製造元
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ウィンボンドエレクトロニクス
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シリーズ
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SpiFlash®
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パッケージ
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チューブ
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部品ステータス
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アクティブ
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メモリタイプ
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不揮発性
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メモリフォーマット
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閃光
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テクノロジー
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フラッシュ-NOR
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メモリー容量
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64Mb(8M x 8)
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メモリインターフェース
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SPI-クアッドI / O
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クロック周波数
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133 MHz
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書き込みサイクル時間-ワード、ページ
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3ms
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アクセス時間
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6 ns
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電圧-供給
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2.7V〜3.6V
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作動温度
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-40°C〜125°C(TA)
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取付タイプ
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表面実装
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パッケージ/ケース
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8-WDFN露出パッド
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-WSON(8x6)
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基本製品番号
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W25Q64
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ウィンボンドエレクトロニクス株式会社について
Winbond Electronics Corporationは、半導体メモリソリューションの世界的な大手サプライヤーです。同社は、製品設計、研究開発、製造、販売サービスの専門能力に裏打ちされた顧客主導のメモリソリューションを提供しています。Winbondの製品ポートフォリオは、特殊DRAM、モバイルDRAM、コードストレージフラッシュ、およびTrustME®セキュアフラッシュで構成されており、通信、家庭用電化製品、自動車および産業、コンピューター周辺市場のTier1顧客によって広く使用されています。
製品カテゴリ
集積回路(IC)
オプトエレクトロニクス
水晶、発振器、共振器
アイソレーター
RF / IFおよびRFID
センサー、トランスデューサー
関連するICの部品番号入手可能なもの:
IC-8 208-mil64M-ビット
W25Q64JVSSIQ
25Q64JVSJQ
SOIC-16300ミル64Mビット
W25Q64JVSFIQ
25Q64JVFJQ
WSON-8 6x5-mm
64Mビット
W25Q64JVZPIQ
25Q64JVJQ
WSON-8 8x6-mm
W25Q64JVZEIQ
25Q64JVJQ
XSON-8 4x4-mm
64Mビット
W25Q64JVXGIQ
Q64JVXGJQ
TFBGA-24 8x6-mm(5x5ボールアレイ)
W25Q64JVTBIQ
W25Q64JVTBJQ
25Q64JVBIQ
25Q64JVBJQ
TFBGA-24 8x6-mm(6x4ボールアレイ)64Mビット
W25Q64JVTCIQ
W25Q64JVTCJQ
25Q64JVCIQ
25Q64JVCJQ
12ボールWLCSP64Mビット
W25Q64JVBYIQ 6CJI
SOIC-8 208-mil64M-ビット
W25Q64JVSSIN 25Q64JVSIN
WSON-8 6x5 mm64Mビット
W25Q64JVZPIN 25Q64JVIN
SOIC-8208ミル64MビットW25Q64JVSSIM
W25Q64JVSSJM
25Q64JVSIM
25Q64JVSJM
SOIC-16300ミル64MビットW25Q64JVSFIM
W25Q64JVSFJM
25Q64JVFIM
25Q64JVFJM
WSON-8 6x5-mm
64MビットW25Q64JVZPIM
W25Q64JVZPJM
25Q64JVIM
25Q64JVJM
WSON-8 8x6 mm64Mビット
W25Q64JVZEIM
W25Q64JVZEJM
25Q64JVIM
25Q64JVJM
XSON-8 4x4-mm64Mビット
W25Q64JVXGIM
W25Q64JVXGJM
Q64JVXGIM
Q64JVXGJM
TFBGA-24 8x6-mm(5x5ボールアレイ)64Mビット
W25Q64JVTBIM 25Q64JVBIM
環境と輸出の分類
属性 | 説明 |
---|---|
RhoHSステータス | ROHS3準拠 |
水分感受性レベル(MSL) | 3(168時間) |
REACHステータス | 影響を受けないリーチ |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |