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60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル

部門:
ダイオードトランジスタ
価格:
Negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン
指定
部門:
電子部品-ディスクリート半導体
タイプ:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
家族:
ダイオードトランジスタ
土台:
サーファクトマウンティング
適用:
スイッチングモード電源アダプタ照明コンバータ
パッケージ:
SOP8
Serise:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
製品名:
DMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル60V10.8Aトランジスタダイオード
記述:
Nチャネル60V 10.8A(Ta)1.25W(Ta)表面実装8-SO
ハイライト:

60V 10.8Aダイオードトランジスタ、DMT6009LSS-13、トランジスタFET DMT6009LSS-13

,

DMT6009LSS-13

,

Transistors FETS DMT6009LSS-13

導入

DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター

FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体

DMT6009LSS-13指定:

部品番号 DMT6009LSS-13
部門
分離した半導体製品
 
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
組み込まれるダイオード
シリーズ
-
パッケージ
テープ及び巻き枠(TR)
部分の状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
60ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
10.8A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
4.5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
9.5mOhm @ 13.5A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
2V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
33.5 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
1925 pF @ 30ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
1.25W (Ta)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
8-SO
パッケージ/場合
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
基礎プロダクト数
DMT6009

関連製品:

DMT6009LSS-13特徴
*ガラス不動態化された破片
*作り付けのストレイン・レリーフ
*低いインダクタンス
*最も高いピークの逆の電力損失
*低い逆の漏出
*人体モデルごとのクラス3 (> 20のkV)のESDの評価

60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル

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MOQ:
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