M29DW323 M29DW323DT70N6ミクロンのフラッシュ記憶集積回路IC TSOP48の電子部品
M29DW323DT70N6EミクロンM29DW323のフラッシュ記憶集積回路IC TSOP48の電子部品
- M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit （4Mb x8か2Mb x16の二重銀行8:24、ブート ブロック）の3V供給のフラッシュ・メモリ
M29DW323Dは読まれ、消され、プログラムし直すことができる32 Mbit （4Mb x8か2Mb x16）の不揮発性メモリである。これらの操作は単一の低電圧（3.6Vへの2.7）の供給を使用して行うことができる。パワーアップ読まれたモードへの記憶デフォルト。装置は非対称的なブロックの建築を特色にする。M29DW323Dに8つの変数および63の主要なブロックの配列があり、2つの銀行、二重銀行操作を提供するAおよびBに分けられる。銀行Aでプログラムしているか、または消して、読込み操作は銀行Bで逆の場合も同じ可能である。1つの銀行だけ一度にプログラムか消去モードにある。
M29DW323Dに余分32がKWord （x16モード）あるまたは64 Kバイトの（x8モード）ブロックは、延長ブロック、それ熱心な命令を使用してアクセスすることができる。延長ブロックは保護することができ、従ってセキュリティ情報を貯えるために有用である。
但し保護は一度不可逆、保護した保護を取消すことができないである
. 各ブロックは独自に消すことができる従って古いデータが消される間、有効なデータを維持することは可能である。
ブロックは偶然プログラムまたは消去命令が記憶を変更することを防ぐために保護することができる。
プログラムおよび消去命令は記憶の命令インターフェイスに書かれている。
オン破片のプログラム/消去のコントローラーは記憶内容を更新するように要求される特別運転すべてを大事にすることによって記憶をプログラムするか、または消すプロセスを簡単にする。
プログラムまたは消去操作の終わりは検出することができ、どのエラー状態でも識別した。
置かれる記憶を制御するために必要な命令はJEDECの標準に一貫している。
破片は可能になるために、出力するために記憶のバス操作を信号制御可能にする可能になり、書く。
それらは付加的な論理なしでほとんどのマイクロプロセッサへの簡単な関係を、頻繁に可能にする。
記憶はTSOP48 （12x20mm）、およびTFBGA48 （6x8mm、0.8mmピッチ）パッケージで提供される。
特徴の概要:
供給電圧
– VCC = 2.7Vへのプログラム、消去および読書のための3.6V
–速いプログラムのためのVPP =12V （任意）
はアクセス時間を:70ns
のプログラミングの時間
–典型的なバイト/単語ごとの10µs
–二重単語四倍バイト プログラム
のメモリ ブロック
–二重銀行記憶配列:8Mbit+24Mbit
–変数は妨げる（上か下の位置）
は双対演算
– 1つの銀行で間、他のプログラムか消去読む
はモードを中断し、再開するために消す
–消去の間の別のブロックが中断するプログラムおよび読書
はバイパス プログラム命令の鍵を開ける
–より速い生産/バッチ プログラミング
速いプログラムおよび書込禁止のための VPP/WP PIN
の一時的なブロックUNPROTECTIONモード
の共通のフラッシュは64かまれたセキュリティ・コードをインターフェイスさせる
のXMSのブロック
–保証ブロックとして使用される余分ブロックまたはその他の情報を貯えるため
の低い電力の消費のスタンバイおよび自動スタンバイ
ブロックごとの 100,000 PROGRAM/ERASE周期
の電子署名
–製造業者コード:0020h
–上のデバイス・コードM29DW323DT:225Eh
–最下のデバイス・コードM29DW323DB:225Fh
ICのフラッシュ32MBITの平行48TSOP-M29DW323DT70N6Eの指定:
| Catetory | 電子部品 |
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下位範疇
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集積回路（IC）
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シリーズ
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記憶
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Mfr
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マイクロン・テクノロジ株式会社。
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パッケージ
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皿
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部分の状態
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時代遅れ
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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フラッシュ
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技術
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フラッシュ-
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記憶容量
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32Mb （4M x 8、2M x 16）
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記憶インターフェイス
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平行
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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70ns
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アクセス時間
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70 ns
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電圧-供給
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2.7V | 3.6V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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48-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅）
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製造者装置パッケージ
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48-TSOP
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基礎プロダクト数
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M29DW323
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関連製品数:
| Mfrの部品# | 技術 | 記憶容量 | 装置パッケージ |
| M29DW323DB70N6F TR | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DT70N6F TR | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB5AN6F TR | フラッシュ- | 256Mb （16M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N3E | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70ZE6E | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA （6x8） |
| M29DW323DB70ZE6F TR | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA （6x8） |
| M29DW323DB7AN6F TR | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DT70ZE6F TR | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA （6x8） |
| M29DW323DT70ZE6E | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TFBGA （6x8） |
| M29DW323DT70N6E | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6 | フラッシュ- | 32Mb （4M x 8、2M x 16） | 48-TSOP |
発注情報:
マイクロン・テクノロジについて
ミクロンは事のインターネット今日ほとんどの重要で、分裂的な技術の進歩の、人工知能のような運転を助けている車を自己運転する革新的な記憶および貯蔵の解決を個人化された薬均一な宇宙探検する。データを集め、貯え、管理する開拓のより速く、効率的な方法によって革命化するのを助けて、世界が伝え、学び、そして進む方法を改善するため。
マイクロン・テクノロジの製品カテゴリ:
集積回路（IC）
メモリ・カード、モジュール
光電子工学
参照のためのイメージ:
環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
代理の集積回路ICの部品番号:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
私達は企業で記憶およびストレージ技術の最も広い有価証券を販売する:ドラム、否定論履積および記憶IC。近い企業のパートナーシップおよび記憶解決の専門知識と、私達の独特な洞察力は私達にあなたの最も挑戦的な必要性に対応する機能を与える。
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